سامسونگ احتمالا از لیتوگرافی پیشرفته TSMC برای تراشه‌های سفارشی انویدیا استفاده می‌کند
سامسونگ با درخواست انویدیا مبنی‌بر استفاده از لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC برای ساخت تراشه‌های سفارشی HBM4E موافقت کرد.
سامسونگ ساخت تراشه‌های حافظه‌ی پیشرفته‌ی انویدیا را به رقیبش TSMC واگذار می‌کند. سامسونگ با درخواست انویدیا مبنی‌بر استفاده از لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC برای ساخت تراشه‌های سفارشی HBM4E موافقت کرد.
این تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا که با نام تجاری NVHBM شناخته می‌شوند، نقشی محوری در زیرساخت‌های هوش مصنوعی انویدیا ایفا خواهند کرد. سامسونگ معمولا رویکردی یکپارچه را دنبال می‌کرد و تمام اجزای رم را در کارخانه‌های اختصاصی خودش به تولید می‌رساند.
انویدیا با هدف تضمین عملکرد یکنواخت و تسهیل مراحل اعتبارسنجی، از هر سه تامین‌کننده‌ی بزرگ خود شامل مایکرون، اس‌کی هاینیکس و سامسونگ خواسته است بخشی از اجزای رم‌ها را با فرآیند ۳ نانومتری TSMC بسازند. با وجود واگذاری ساخت بخشی از تراشه به رقیب تایوانی، بخش‌های دیگر با بهره‌گیری از نسل ششم لیتوگرافی سامسونگ موسوم به فرآیند 1c در خطوط تولید داخلی این شرکت ساخته خواهد شد.
کره‌ای‌ها پیش‌تر در بخش پکیجینگ تراشه‌ها سابقه‌ی همکاری با رقیب تایوانی را داشته‌اند؛ اما تولید تراشه توسط TSMC رویدادی بی‌سابقه در تاریخ فعالیت‌های سامسونگ محسوب می‌شود.